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三安光电:第三代半导体广泛布局,有望长期受益功率器件蓝海市场

放大字体  缩小字体 日期:2021-01-11     来源:金融界    作者:览富财经    浏览:65540    评论:0    

GaAs、SiC、GaN全布局

三安光电2014年成立全资子公司三安集成,是国内第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂,开发砷化镓、氮化镓外延片和衬底,涵盖射频、电力电子、光通讯和滤波器板块。2020年上半年三安集成实现销售收入3.75亿元,同比增长680%。

现阶段,砷化镓射频出货客户累计将近100家、氮化镓射频产品重要客户产能正逐步爬坡;电力电子产品客户累计超过60家,27种产品已进入批量量产阶段;光通讯业务除扩大现有中低速PD/MPD产品的市场领先份额外,高端产品10GAPD/25GPD、VCSEL和DFB发射端产品均已在行业重要客户处验证通过,进入批量试产阶段;滤波器产品开发性能优越,产线持续扩充及备货中。

短期来看,射频是三安集成主要收入来源,公司射频业务产品应用于2G-5G手机射频功放WiFi、物联网、路由器、通信基站射频信号功放等市场应用;其中手机用射频器件以GaAs为主,基站用射频器件以GaN为主,为更好保持综合竞争力,650VGaN工艺开发已经取得突破,某国际化大客户下单,开始流片验证。

三安光电目前在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目,项目正处于建设阶段。

三安光电电力电子业务主要在湖南全资子公司进行,公司从SiC衬底到外延到模组都有布局。三安光电长沙项目将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,研发、生产及销售6寸SiC导电衬底、4寸半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

 
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