化合物半导体确定性增量较强
以目前来看，GaAs是最为成熟的化合物半导体之一。砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比，它的电子移动率约为硅材料的5.7倍，它具有直接带隙，功耗低的特性，广泛运用于高频及无线通讯（主要为超过1GHz以上的频率），也是手机功率放大器的基石。
预计GaAs射频业务占砷化镓晶圆市场份额超过50%，而随着通信技术向5G演进，因为5G的高频特性，GaAs将仍然是手机功率放大器采用的主流技术。除在IC产品应用以外，也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长，制作成光电子器件。
GaN主要用于射频、功率和光电子等领域。GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，GaN射频功率放大器兼具硅器件的大功率和GaAs器件的高频率特点。主要应用场景覆盖射频、快充、变频器等领域。根据Grand view research的测算及预测，2019年全球GaN器件市场规模约14亿美元，从2020-2027年复合增速有望达到19.8%。
SiC在高功率领域优势明显。碳化硅相比硅材料有10倍的临界电场击穿强度，3倍的能量带隙。碳化硅器件的耐压能力是同等硅器件的10倍，碳化硅肖特基耐压管耐压可达2400V，碳化硅场效应管耐压可达数万伏。
值得注意的是，碳化硅器件的单位面积的阻抗仅为硅器件的100分之一，使得碳化硅器件的发热量极低。因此碳化硅是制作高功率器件的绝佳材料，在新能源车、轨交等领域有望取代IGBT。根据Yole预测，2020年全球SiC器件市场规模预计达到5亿美元，2022年有望达到10亿美元。
