新能源IGBT推动第三代半导体铺货
就整体而言，功率器件是化合物半导体材料的蓝海赛道。虽然目前依旧是硅材料主导功率器件市场，但SiC与GaN材料将逐步改变当今市场格局，因为在需要大功率和耐高压(>600V)高电流特性时，使用SiC组件会较为有利；而在需要高频切换和中低压环境时，使用GaN组件会较有利。
现阶段，新能源车是功率器件需求增长的重要驱动因素。在新能源车上，SiC器件对于IGBT具有替代潜力。目前电动汽车用到的主流功率器件是硅基IGBT。但是IGBT在能量转换效率、功率、耐高温和耐高压方面均逊色于SiC。尤其在能量转化效率方面，纯电动车完全采用碳化硅模块，整车能效可以提高3%-5%。
2020年比亚迪推出的汉EV是国内首款应用自主开发SiC模块的电动汽车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代。伴随第三代半导体在关键领域逐渐替代硅基半导体，三安光电子公司三安集成有望直接受益，览富财经网将持续关注。
