碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，英飞凌等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。为了发展功率半导体，华为也开启了对第三代半导体材料的布局。华为旗下的哈勃科技投资有限公司在2019 年8 月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%，而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3 倍；导热率为硅的4-5 倍；击穿电压为硅的8 倍；电子饱和漂移速率为硅的2 倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。
根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率，到2029年将超过50亿美元。
