记者：随着后摩尔时代的到来，刻蚀工艺有哪些新的技术趋势？在半导体工艺技术演进中发挥了怎样的作用？
吴汉明：等离子体刻蚀是整个工艺流程最具挑战性的技术之一。这是因为刻蚀工艺中涉及的问题是多学科交叉的领域，包括力学、物理、化学、数学、材料和系统控制等。
目前的等离子体刻蚀技术朝两个大方向发展，首先是软刻蚀（Soft Etch），追求高选择率、各向同性刻蚀、低损伤等，主要针对逻辑器件；另一种是硬刻蚀（HardEtch），追求高深宽比的刻蚀能力和刻蚀形貌，主要针对存储器。原子层刻蚀（ALE）技术是软刻蚀有前景的技术选项之一，基本可以达到刻蚀工艺中的无损伤要求，但主要存在的问题是工艺产出率较慢，该技术目前正处于商业化的前期，值得关注。
未来，等离子体刻蚀技术的发展趋势鉴于成本的因素，主要是减少关键尺寸（CD）和刻蚀率主导的薄膜厚度不均匀性。另外、硅基新材料的引进给刻蚀工艺技术带来了新的挑战，如应变硅材料、前段的高k 金属栅(HKMG)和后段的超低k介质刻蚀都需要基于系统研发工作，推进整体芯片工艺发展。其他后摩尔时代推出的新材料也正在不断地被应用到芯片制造中，相应的刻蚀工艺技术都需要同步或先行发展，例如III-V 族材料、磁性材料和存储功能刻蚀，都需要研究其相应的物理和化学特点，开发适合于产业化应用的刻蚀工艺技术。
目前，产业期待能建立一个适用的工艺模型，来指导当下的工艺研发，这样就可以大大加速研发进程，并且降低研发费用，缩短研发周期。未来，随着人工智能技术的发展，等离子体刻蚀技术必将是刻蚀技术发展的核心。为此，必须开发可靠的等离子体刻蚀模型和先进的数据采集和处理技术。
