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台积电拟加大对美投资至400亿美元,兴建3nm制程工厂

放大字体  缩小字体 日期:2022-12-08     来源:C114讯    作者:蒋均牧    浏览:8041    评论:0    
核心提示:C114讯 北京时间12月8日下午消息(蒋均牧)台积电(TSMC)证实了媒体的报道,它将扩大在美国美国亚利桑那州的芯片生产,宣布计划
C114讯 北京时间12月8日下午消息(蒋均牧)台积电(TSMC)证实了媒体的报道,它将扩大在美国美国亚利桑那州的芯片生产,宣布计划将总投资提高到400亿美元,并兴建使用3nm先进制程的第二座工厂。到2026年二期工程投产时,这家合同芯片制造商的计划产能将从每年24万片晶圆提高到60万片。两座工厂将创造4500个工作岗位,几乎是最初计划的三倍。
  台积电斥资120亿美元建设的在美第一座工厂将采用其N4工艺生产芯片,并计划于2024年投产。该公司原计划使用其N5工艺制造5nm芯片。随着贸易紧张局势加剧以及疫情限制导致的供应链中断,台积电的美国客户正推动在本地采购更多零部件,以减少对从中国进口的依赖。
  在标志着首批芯片设备到来的活动中,台积电董事长刘德音(Mark Liu)表示,其目标是提供美国最环保的芯片制造设施,生产美国最先进的半导体工艺技术。 台积电透露了现场工业水回收厂的计划,这将使其能够实现近乎零的液体排放。
  美国总统乔·拜登(Joe Biden)、苹果公司首席执行官蒂姆·库克(Tim Cook)、AMD董事长兼首席执行官苏姿丰(Lisa Su)和英伟达总裁兼首席执行官黄仁勋(Jensen Huang)出席了仪式。
台积电03
 
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